应答器设计的成本依赖于几个因素，而不仅仅是硅的成本。事实上，芯片制造工艺的成本(就其复杂性和成熟程度与良率而言)一般可以由电路设计师来控制。根据经验，当裸片面积超过1mm2时，用于供应链应用的RFID的成本开始下降。
当RFID应答器从系统的最小范围运动到最大范围时，其功率大致变化三十倍，所以RFID应答器的功率要求可能对设计师提出了一个难于预测的挑战。尽管UHF RFID应答器可以获得的典型功率在一百毫瓦数量级，但该问题并非仅限于功耗。即使是在短距离内，可以对应答器提供足够的功率却可能导致电压过载。应答器还必须工作在从-25℃~+40℃的标称工作范围内，以及从-40℃~+65℃基于EPC Gen2标准的扩展温度范围内。
成本与功率要求极大地影响了对用于生产RFID应答器IC的工艺选择。正如在先前系列文章中所提到的，肖特基接触在RFID应答器设计中提供了低开启电压、低结电容以及高电流驱动。另外，已经有人致力于采用新的工艺，例如BiCMOS以及蓝宝石硅片(SOS)，其提供了极佳的低功耗性能。但每种方法都有其不利的一面。在CMOS工艺中肖特基接触并非是常规的，而一般需要后处理步骤。其它工艺诸如BiCMOS和SOS对大多数RFID应答器应用而言又太贵了。
实现低功耗电路要求的另一个方法是动态阈值电压MOSFET(DTMOS)技术。其可以利用体硅CMOS技术实现廉价生产。其全部优势非常适合于开发下一代UHF RFID应答器，本文将对此作详细论述。本文将首先介绍DTMOS的基本原理。接下来，DTMOS在数字、模拟以及射频领域的实现将被重点说明，这是由于UHF RFID应答器包括了涉及所有这三个领域的电路。最后，将演示满足EPC Gen2指标UHF RFID的DTMOS带隙参考电路的芯片实现。
![降低<A]() RFID应答器功耗的设计策略 src="http://www.ed-china.com/ARTICLE_IMAGES/200709/20070924_IC_RFD_TS_88F1.JPG" border=0> |
DTMOS属于基本上采用互连的阱和栅的MOS晶体管(图1)。对于双阱p衬底CMOS工艺，由于只能单独控制和生产N阱的这一事实，所以只能采用P型DTMOS，这是因为N型DTMOS的P阱具有到P衬底的共同和低欧姆的通路。然而，N型DTMOS可以在具有深N阱特性的工艺中获得。DTMOS的操作类似于弱反型MOS的操作，相似于横向PNP管中的三极管操作。弱反型MOS晶体管的漏电流与横向PNP的集电极电流(都在饱和区)为：
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其中：F=FBJT=VBE。用于三极管，F=FWIM=[(VGS-VT)×COX/(COX+Cdepletion)]
用于弱反型MOS晶体管。
耗尽层电容的值依赖于耗尽层的宽度，其依次依赖于阱的掺杂特性，以及在硅中源极结附近的电压降。因此，该因素依赖于所采用的阱-源电压和通过阈值调制效应所采用的阱-源电压。